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发明名称
Shallow trench avoidance in integrated circuits
摘要
<p>Diffusion regions in a standard cell design are bridged across cell boundaries. Shallow trench isolation is reduced and nitride passivation thickness variation is reduced.</p>
申请公布号
GB0812517(D0)
申请公布日期
2008.08.13
申请号
GB20080012517
申请日期
2007.03.21
申请人
INTEL CORPORATION
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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