在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法

摘要

一种在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟(In₂O₃)薄膜的方法，属于光电子材料和半导体材料及其制备的技术领域。在大气压强和没有催化剂的条件下，用热蒸发工艺蒸发氧化铟－石墨混合物中的氧化铟，通过氧化铟蒸汽在硅片上的沉积，在硅片上生长大面积的微米级块状结构的氧化铟薄膜。有以下特点：对设备的要求低，压力只需要是常压，对载气的要求不高，只需要N₂，和方法简单、成本低、重复性好，且能在硅片上大面积生长微米级块状结构的氧化铟。特别适于作为阴极材料用在场发射微电子器件中。

主权项

1、一种依附在硅片上的微米级块状结构的氧化铟薄膜，该薄膜的单块块状结构的长度、宽度和高度分别介于2μm～5μm、1μm～2μm和0.8μm～1.2μm。