| 发明名称 | 能够补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物、以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了可补偿在晶片表面形成的纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法。本发明的浆液组合物，在对晶片表面形成的氧化物层进行机械化学机械抛光的工序时，在用于补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物中，含有抛光粒子和添加剂，为了在上述化学机械抛光工序后将上述氧化物层的厚度偏差(OTD)控制在一定水平以下，上述抛光粒子的尺寸和上述添加剂的浓度最优化为一定的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN100411110C | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200480012603.8 | 申请日期 | 2004.05.11 |
| 申请人 | 株式会社上睦可;学校法人汉阳学院 | 发明人 | 朴在勤;加藤健夫;李元模;姜贤求;金成准;白云揆 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;邹雪梅 |
| 主权项 | 1. 化学机械抛光用浆液组合物，其是在对晶片表面形成的氧化物层进行化学机械研磨工序时，用于补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物，其中含有抛光粒子、分散剂和阴离子性有机添加剂，为了在上述化学机械抛光工序后将上述氧化物层的厚度偏差控制在一定水平以下，将上述抛光粒子的尺寸调整到2nm～1000nm的范围内，将上述阴离子性有机添加剂的浓度调整到0.05-0.8重量％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||