具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法

摘要

发光二极管芯片(1)，具有基于GaN的进行辐射的外延层序列，该外延层序列具有一个有源区、一个n掺杂层和一个p掺杂层。所述p掺杂层在其背向有源区的主面上设有进行反射的接触金属敷层(6)，该接触金属敷层具有一个能穿透辐射的接触层(15)和一个进行反射的层。另外还给出了一种用薄膜技术制造这种发光二极管芯片的方法以及一种具有这种发光二极管芯片的发光二极管器件。穿透辐射的接触层被布置在所述p掺杂层和所述反射层之间，而且所述的n掺杂层在其背向所述p掺杂层的主面上设有一个n接触层。所述发光二极管芯片没有衬底。

主权项

1. 发光二极管芯片(1)，具有-一个基于GaN的进行辐射的外延层序列(3)，该外延层序列具有一个有源区(19)、一个n掺杂层(4)和一个p掺杂层(5)，-一个分配给所述p掺杂层(5)的进行反射的接触金属敷层(6)，以及-一个n接触层(7)，所述的n掺杂层(4)在其背向所述p掺杂层的主面(8)上设有该n接触层(7)，其中所述发光二极管芯片没有衬底。