| 发明名称 | 半导体零件和制造集成电路芯片的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体零件，它具有：一主芯片体；以及一蒸发成型的和包覆主芯片体的保护层。还提供了制造集成电路芯片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100411159C | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200510127050.7 | 申请日期 | 2000.04.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 吉良秀彦;马场俊二;海沼则夫;冈田徹;山上高丰;佐佐木康则;小宫山武司;小八重健二;小林弘 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/78(2006.01) | 主分类号 | H01L23/31(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郑修哲 |
| 主权项 | 1. 一种半导体零件，它具有：一主芯片体，上述主芯片体具有上表面，下表面和周边侧面；集成电路，该集成电路形成在主芯片体的下表面上；导体凸起，该导体凸起形成在主芯片体的下表面上；下部充填层，该下部充填层在主芯片体的下表面上形成，使导体凸起的前端暴露；以及一通过蒸发沉积而成型的和包覆主芯片体的上表面和周边侧面的保护层，其中，主芯片体的部分暴露。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||