发明名称 |
陶瓷先驱体聚碳硅烷的超临界流体合成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种以含有硅-硅键、硅-碳键、硅-卤键的有机硅化合物及其混合物为原料,以可溶聚碳硅烷的溶剂为超临界流体介质,在高压鉴中介质超临界流体状态下合成陶瓷先驱体聚碳硅烷的方法。通过控制合成反应条件,可以得到所需的不同分子量、不同软化点的陶瓷先驱体聚碳硅烷。本发明方法有效地改善了传热均匀性与反应均匀性,合成时间短、合成效率高、合成收率高,产物聚碳硅烷具有较高的分子量、较高的硅氢键含量和均匀的分子量分布。可广泛应用于制备SiC纤维、SiC复合材料、高强度耐高温合金、陶瓷粘结剂、SiC薄膜、纳米线、纳米管和纳米粉等等。 |
申请公布号 |
CN101240070A |
申请公布日期 |
2008.08.13 |
申请号 |
CN200710034407.6 |
申请日期 |
2007.02.09 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
宋永才;杨大祥 |
分类号 |
C08G77/60(2006.01);C04B35/571(2006.01) |
主分类号 |
C08G77/60(2006.01) |
代理机构 |
长沙正奇专利事务所有限责任公司 |
代理人 |
魏国先 |
主权项 |
1. 一种陶瓷先驱体聚碳硅烷的超临界流体合成方法,其特征在于以含有硅-硅键、以含有硅-硅键、硅-碳键、硅-卤键的有机硅化合物及其混合物为原料,以可溶解聚碳硅烷的溶剂为超临界流体介质,在高压鉴中介质超临界流体状态下合成聚碳硅烷。 |
地址 |
410073湖南省长沙市开福区德雅路正街47号 |