可改善抹除操作特性的非易失性存储元件

摘要

一种进行抹除操作的方法，适用于具有多个存储单元的非易失性存储元件。此方法是将至少一个在程序化之前在一抹除阶段具有在一第一区的临界电压值的存储单元程序化，该存储单元在程序化之后具有在一第二区的临界电压值，其中该第二区的临界电压高于该第一区的临界电压。抹除操作，是进行存储单元比特的程序化，使负电荷载子或电子注入于存储单元，替代传统将热电洞注入存储单元的方式。此方法可以避免热电洞注入造成的室温漂移以及电荷损失。

主权项

1. 一种进行抹除操作的方法，适用于具有多个存储单元的非易失性存储元件，其特征在于，包括：在一抹除阶段，将至少一个在一第一区的临界电压值的存储单元程序化，该存储单元在程序化之后具有在一第二区的临界电压值，其中该第二区的临界电压高于该第一区的临界电压。