发明名称 |
有机薄膜场效应晶体管及其封装方法 |
摘要 |
本发明涉及一种有机薄膜场效应晶体管的封装方法。该方法是向器件一侧或者两侧淀积封装层,其特征在于:该封装层由一层聚合物材料厚膜层组成或由聚合物材料薄膜层和陶瓷材料薄膜层以一定周期数n交替重叠组成。由这种封装方法制备的封装层可以有效阻隔水氧,从而大大提高了有机薄膜场效应晶体管的性能,还大大提高了器件的稳定性,延长器件的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN101241970A |
申请公布日期 |
2008.08.13 |
申请号 |
CN200810006625.3 |
申请日期 |
2003.03.21 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
董桂芳;胡远川;王立铎;邱勇 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01);H01L51/10(2006.01);H01L51/30(2006.01);H01L51/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种有机薄膜场效应晶体管,包括用作为场效应沟道层的有机半导体层和用于密封至少所述有机半导体层的封装层,其特征在于:所述封装层由一层聚合物材料厚膜层组成,所述厚膜层的厚度为100~1000微米。 |
地址 |
100084北京市清华大学工物馆209A房间 |