利用气体注入孔的PECVD的光发射干涉测量

摘要

本发明提供了一种用于在基板的等离子体处理期间通过使用放置在位于等离子体系统的上电极中的标准气体喷淋头的标准喷淋头孔内的光纤传感器来提高等离子体工艺的光学检测的方法和设备。可以基于测量的来自基板表面的等离子体发射来计算膜性质。该膜性质可以是膜沉积速率、折射率、膜厚度等。基于测量的膜性质，可以调节和/或终止基板的等离子体处理。另外，提供位于上电极组件中的窗口，用于通过标准的喷淋头孔观察等离子体发射。

主权项

1.一种用于处理基板的等离子体设备，包括：真空室；至少一个电源，其用于在所述真空室中产生等离子体；基板基座，其用于支撑基板；上电极组件，其具有拥有多个标准喷淋头孔的气体分布系统；检测器，其与所述标准喷淋头孔中的至少一个光学连通，所述检测器测量穿过所述标准喷淋头孔传送的等离子体发射；和控制系统，其与所述检测器和所述电源电通信。