| 发明名称 | 用于隧道磁阻元件的测试方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于隧道磁阻元件的测试方法和装置。一种用于利用隧道磁阻效应的再现元件的再现元件测试方法，包括：测量步骤，用于针对不同电流来测量第一电阻值和第二电阻值；比较步骤，用于对电阻值微分曲线和电阻改变率进行比较，电阻值微分曲线是根据具有相同设计的没有缺陷的制品的再现元件的隧道磁阻和电压之间的理论方程式来计算得到的，而电阻改变率是根据所述测量步骤所测得的第一电阻值和第二电阻值来计算得到的；以及判断步骤，用于基于对所述电阻值微分曲线和电阻改变率的比较来判断所述再现元件是有缺陷的还是没有缺陷的。 | ||
| 申请公布号 | CN101241706A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200710306373.1 | 申请日期 | 2007.12.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 松原正人 |
| 分类号 | G11B5/455(2006.01);G11B5/39(2006.01);G01R33/09(2006.01) | 主分类号 | G11B5/455(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵淑萍 |
| 主权项 | 1.一种用于利用隧道磁阻效应的再现元件的再现元件测试方法，所述再现元件测试方法包括：测量步骤，用于针对不同电流来测量第一电阻值和第二电阻值；比较步骤，用于对电阻值微分曲线和电阻改变率进行比较，所述电阻值微分曲线是根据具有相同设计的没有缺陷的制品的再现元件的隧道磁阻和电压之间的理论方程式来计算得到的，而所述电阻改变率是根据所述测量步骤所测得的所述第一电阻值和第二电阻值来计算得到的；以及判断步骤，用于基于对所述电阻值微分曲线和所述电阻改变率的比较来判断所述再现元件是有缺陷的还是没有缺陷的。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||