| 发明名称 | 半导体器件的热辐射结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的热辐射结构，包括：在其表面上具有第一区域和围绕该第一区域的第二区域的基板，在该第一区域上安装有半导体器件；和具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，且形成有设置在第一表面上的多个端子的半导体器件；其中：以第一表面与基板的表面相对的方式，在基板上安装半导体器件，且在基板的第二区域上形成有第一热辐射膜，并在半导体器件的第二表面上形成有与第一热辐射膜间隔开的第二热辐射膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100411160C | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200410064071.4 | 申请日期 | 2004.04.15 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 野口高 |
| 分类号 | H01L23/40(2006.01);H01L23/34(2006.01);H01L21/56(2006.01) | 主分类号 | H01L23/40(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件的热辐射结构，包括：在表面上具有第一区域和围绕该第一区域的第二区域的基板，在该第一区域上安装有半导体器件；和具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，且形成有设置在第一表面上的多个端子的半导体器件；其中：以第一表面与基板的表面相对的方式，在基板上安装半导体器件，在基板的第二区域上形成有第一热辐射膜，并在半导体器件的第二表面上形成有与第一热辐射膜间隔开的第二热辐射膜，第一和第二热辐射膜的材料是陶瓷，且第二热辐射膜被形成为不伸出到半导体器件的边缘之外。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||