| 发明名称 | 垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器 | ||
| 摘要 | 本申请涉及垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器。提供一种由于交换弹性效果而具有改进的写性能并能稳定制造的垂直磁记录介质。一种垂直磁记录介质，包括非磁性基底；粘结层；软磁底层；籽晶层；中间层；至少包括垂直记录层、写协助层以及设置在垂直记录层和写协助层之间的磁耦合层的磁记录层；保护层以及润滑层，其中，磁耦合层的饱和磁化强度低于写协助层的饱和磁化强度，磁耦合层的饱和磁化强度是300kA/m(300emu/cc)或更低，以及磁耦合层的厚度是1nm或以上和3nm或以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101241710A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200810003551.8 | 申请日期 | 2008.01.18 |
| 申请人 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 发明人 | 张振刚;武隈育子;棚桥究 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01);G11B5/64(2006.01);G11B5/667(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李涛;钟强 |
| 主权项 | 1.一种垂直磁记录介质，包括基底、磁记录层和保护层，其中该磁记录层包括垂直记录层、磁耦合层和写协助层；该垂直记录层是设置在所述磁耦合层和所述基底之间的、包含有氧化物的Co合金层；该磁耦合层是设置在所述垂直记录层和所述写协助层之间的铁磁层；该写协助层是设置在所述磁耦合层和所述保护层之间的铁磁层；该磁耦合层的饱和磁化强度低于所述垂直记录层的或所述写协助层的饱和磁化强度；以及该磁耦合层的厚度是1nm或以上和3nm或以下。 | ||
| 地址 | 荷兰阿姆斯特丹 | ||