| 发明名称 | 在键合两个晶片之前的热处理 | ||
| 摘要 | 一种将层膜从第一晶片转移到第二晶片的方法，所述第一晶片包括弱化区，所述弱化区以第一晶片的表面定义了选自半导体材料的材料层，所述材料层的厚度接近于或者大于待转移层膜的厚度，其特征在于它包括以下步骤：a)使两个晶片的表面相接触，以使厚度为接近于或者大于待转移层膜的厚度的层膜与第二晶片相接触；b)在远高于环境温度的第一温度下提供热能，持续第一时间段；c)提供额外的热能以使温度升高至第一温度之上，从而在弱化区处从第一晶片分离待转移层膜。本发明还提供了所述方法的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN100411094C | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200510092813.9 | 申请日期 | 2005.08.18 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | N·本;穆罕默德;C·莫南;杜莎;C·马勒维尔 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1. 一种将层膜从第一晶片转移到第二晶片的方法，所述第一晶片包括弱化区，从而在所述弱化区和第一晶片的表面之间界定了一材料层，其中所述材料层选自半导体材料且其厚度接近于或者大于待转移层膜的厚度，其特征在于它包括以下步骤：a)使两个晶片的表面相接触，以使厚度为接近于或者大于待转移层膜的厚度的层膜与第二晶片相接触；b)在高于环境温度的、处于200℃至400℃范围内的第一温度下提供热能，持续等于或大于30分钟的第一时间段；c)提供额外的热能以使温度升高至第一温度之上，从而在弱化区处从第一晶片分离待转移层膜。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||