发明名称 |
用于前段工艺制造的原地干洗腔 |
摘要 |
本发明提供了一种用于前段工艺制造的原地干洗腔。本发明进一步提供了一种用于从衬底表面上去除天然氧化物的方法和装置。一方面,该腔包括一个腔体和一个至少部分布置在腔体内并适合在其上支撑衬底的支撑装置。该支撑装置包括至少部分在其中形成并能冷却衬底的一个或多个流体通道。该腔进一步包括布置在腔体上表面的盖装置。该盖装置包括在其间限定了等离子空腔的第一电极和第二电极,其中第二电极适合连接地加热衬底。 |
申请公布号 |
CN101241844A |
申请公布日期 |
2008.08.13 |
申请号 |
CN200810082565.3 |
申请日期 |
2005.02.25 |
申请人 |
应用材料有限公司 |
发明人 |
C-T·高;J-P·周;C·赖;S·阿姆托艾;J·休斯顿;S·郑;M·张;X·袁;Y·张;X·陆;W·W·王;S-E·潘 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/311(2006.01);C23C16/455(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
1.一种用于半导体处理的盖装置,其包括:一个第一电极,其包括一个内径渐增的扩展段;和与该第一电极相对布置的一个第二电极,其中一个等离子空腔被限定在该第一电极的扩展段的内径和该第二电极的第一表面之间。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |