| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法以及基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够充分提高半导体芯片与基板之间的接合强度，且可确实防止由于热冲击或温度循环等造成断裂的发生的半导体装置。半导体装置具备半导体芯片、和具有该半导体芯片经由金属层接合的接合区域的基板。金属层具有Au－Sn－Ni合金层、和重叠于Au－Sn－Ni合金层的焊料层。Au－Sn－Ni合金层和焊料层的界面形成有凹凸。 | ||
| 申请公布号 | CN101243546A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200680030503.7 | 申请日期 | 2006.08.18 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 芳我基治;糟谷泰正;松原弘招 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/52(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其具备：半导体芯片；基板，其具有经由金属层接合所述半导体的接合区域，所述半导体装置的特征在于，所述金属层具有Au-Sn-Ni合金层和重叠于所述Au-Sn-Ni合金层的焊料层，且在所述Au-Sn-Ni合金层与所述焊料层的界面上形成凹凸。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||