非易失性存储单元的编程

摘要

一种用于对非易失性存储(NVM)单元(110)编程的方法，包括向在读期间用作源极的电流电极(118)施加渐增的电压。初始的编程源极电压导致相对较少量的电子注入存储层。由于相对低的初始电平，减少了横跨栅极电介质的垂直场。由于建立减少垂直场的场的存储层中的电子，源极电压的随后增加并不显著地提高垂直场。随着在编程中对栅极电介质的危害减少，改进了NVM单元的持久性。

主权项

1.一种对非易失性存储(NVM)单元编程的方法，所述非易失性存储单元包括在读操作期间用作源极的第一电流电极、在读操作期间用作漏极的第二电流电极、以及用作偏置栅极的控制电极，所述方法包括：向所述第一电流电极施加第一编程电压；在施加所述第一编程电压之后，向所述第一电流电极施加第二编程电压，其中所述第二编程电压大于所述第一编程电压；以及在施加所述第一编程电压的步骤期间，向所述控制电极施加编程电压，以及在施加所述第二编程电压的步骤期间，向所述控制电极施加编程电压。