发光二极管的制法

摘要

本发明是将磊晶制备的发光二极管晶圆分割成多个发光二极管晶粒的制法，首先在发光二极管晶圆表面形成可遮覆其表面及分割槽底部的遮覆层，再以激光在遮覆分割槽底部的遮覆层表面，以平行于分割槽长度的方向更向下形成崩裂道，移除遮覆层后，再分别对应崩裂道自晶圆底面向上形成对应崩裂道，且对应崩裂道的深度小于晶圆基板厚度，最后延崩裂道施加应力，使发光二极管晶圆沿分割槽被分割而制得多个发光二极管晶粒。

主权项

1. 一种发光二极管的制法，是先将一发光二极管晶圆分割成多个发光二极管晶粒，该发光二极管晶圆具有一基板、一设置在该基板上的光电单元，及多个自该光电单元表面向下设置的分割槽，该多个分割槽成纵横交错分布且深度小于该光电单元的厚度，其特征在于：该发光二极管的制法包含以下步骤：(a)在光电单元表面向上设置一遮覆层，该遮覆层遮覆该光电单元表面及该每一分割槽的底部；(b)以激光在该遮覆每一分割槽底部的部分遮覆层表面，以平行于该每一分割槽长度的方向，再向下形成一崩裂道；(c)移除该遮覆层；(d)分别对应每一崩裂道，自该基板底面向该光电单元方向形成一对应崩裂道，该每一对应崩裂道的深度小于该基板厚度，且自该每一崩裂道底部分别向下与其对应的该对应崩裂道底部连成一假想的分离界面；及(e)施加应力，使该发光二极管晶圆沿该每一分离界面被分割。