发明名称 膜图案的形成方法和有源矩阵基板的制造方法
摘要 本发明提供一种不需要对围堰实施表面处理(疏液化处理),由此简化了工序、提高了生产效率的膜图案的形成方法、和由此获得的膜图案以及器件和电光学装置等。该膜图案的形成方法将功能液(X1)配置在基板(P)上来形成膜图案。包括以下工序:在基板(P)上形成与膜图案的形成区域对应的围堰(B);在由围堰划分的区域(34)配置功能液(X1);和对功能液(X1)实施固化处理而形成膜图案。在形成围堰(B)的工序中,首先涂敷聚硅氨烷液或聚硅氧烷液,接着对其进行曝光、显影,形成图案,然后通过烧结,形成在侧链上具有疏水基,并将硅氧烷结合作为骨架的材质的围堰,作为功能液(X1),使用水系分散介质或含有溶剂的液状体。
申请公布号 CN100411100C 申请公布日期 2008.08.13
申请号 CN200610077889.9 申请日期 2006.05.10
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 平井利充;守屋克之
分类号 H01L21/02(2006.01);H01L21/288(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/84(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1. 一种膜图案的形成方法,通过将功能液配置在基板上来形成膜图案,包括:在所述基板上形成与所述膜图案的形成区域对应的围堰的工序;在由所述围堰划分的区域配置所述功能液的工序;和对所述功能液实施固化处理而形成膜图案的工序,在形成所述围堰的工序中,首先涂敷聚硅氨烷液或聚硅氧烷液,接着对其进行曝光、显影,形成图案,然后,通过烧结,形成在侧链具有疏水基,并将聚硅氧烷结合作为骨架的材质的围堰,作为所述功能液,使用水系分散介质或含有溶剂的液状体。
地址 日本东京