| 发明名称 | 电介质膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种把电介质膜形成在基板表面上的电介质膜形成方法，包含在所述基板表面上分多次形成高K电介质膜的工序，在所述分多次进行的高K电介质膜形成工序的各个工序中，在以氮气为主的气氛中对所形成的高K电介质膜进行改质的处理工序。 | ||
| 申请公布号 | CN100411116C | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN03825630.4 | 申请日期 | 2003.01.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 肖石琴;大场隆之 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/318(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;王玉双 |
| 主权项 | 1. 一种高K电介质膜的形成方法，在基板表面上形成高K电介质膜，其特征在于包括如下工序：在所述基板表面上分多次形成所述高K电介质膜的工序；在所述分多次进行的高K电介质膜形成工序的各个工序中，在以氮气为主的气氛中对所形成的高K电介质膜进行结晶化的处理工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||