| 发明名称 | 平坦化研磨法和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露将待研磨晶片研磨为平坦表面的平坦化研磨方法，该方法包括以下步骤：通过使用研磨浆将被研磨面研磨为平坦表面，所述研磨浆含有磨粒和经表面包覆而被包封的表面活性剂。 | ||
| 申请公布号 | CN101239453A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200810004877.2 | 申请日期 | 2008.02.05 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 藤井美香 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01);H01L21/304(2006.01);C09K3/14(2006.01) | 主分类号 | B24B37/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 吴培善;封新琴 |
| 主权项 | 1.将待研磨晶片研磨为平坦表面的平坦化研磨方法，该方法包括以下步骤：通过使用研磨浆将待研磨面研磨为平坦表面，所述研磨浆含有磨粒和经表面包覆而被包封的表面活性剂。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||