发明名称 半导体存储器设备的读出放大器电路及其操作方法
摘要 一种半导体存储器设备的读出放大器电路及其操作方法,其中读出放大器电路包括:与位线连接来读出和放大位线的信号的位线读出放大器,以及基于位线读出放大器的逻辑阈值来校准位线的电压电平的校准电路。在位线的电压电平被校准之后,位线读出放大器读出和放大位线的信号。位线读出放大器可以包括2-级级联锁存器,其包括具有与位线连接的输入端子的第一反相器;以及第二反相器,其具有与第一反相器的输出端子连接的输入端子和与位线连接的输出端子,并且响应于读出控制信号被启用/禁用。校准电路包括开关元件,其连接在第一反向器的输出端子和位线之间,并且响应于校准控制信号被导通或关断。
申请公布号 CN101241749A 申请公布日期 2008.08.13
申请号 CN200710199789.8 申请日期 2007.12.24
申请人 三星电子株式会社 发明人 金明五;金秀奂;李钟哲
分类号 G11C7/06(2006.01);G11C7/12(2006.01) 主分类号 G11C7/06(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 邵亚丽
主权项 1.一种半导体存储器设备的读出放大器电路,包括:位线读出放大器,配置为与位线连接并且读出和放大位线的信号;以及校准电路,配置为基于位线读出放大器的逻辑阈值校准位线的电压电平,其中在位线的电压电平已经被校准后,位线读出放大器读出并放大位线的信号。
地址 韩国京畿道