| 发明名称 | 利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关一种利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法，借此校准用于测量半导体元件特征的度量工具。利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法包括以下步骤：测量一第一间距；测量一第二间距，其中该第二间距自该第一间距偏移一间距偏移值；进行一比较该第一间距与该第二间距的比较步骤；以及依据该比较步骤判断度量准确度。经由前述比较，可采取适当的校准步骤，以缩短已知间距与测得间距之间的差距。本发明提供的方法，利用次纳米级间距偏移量，可有效校准度量工具至次纳米级。 | ||
| 申请公布号 | CN101241309A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200810004166.5 | 申请日期 | 2008.01.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯志明;游信胜;王育溪;黄得智;高蔡胜;黄国骏 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G03F1/14(2006.01);H01L21/66(2006.01);G01B11/02(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法，其特征在于包括以下步骤：测量一第一间距；测量一第二间距，其中该第二间距自该第一间距偏移一间距偏移值；进行一比较步骤，以比较该第一间距与该第二间距；以及依据该比较步骤判断度量准确度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||