发明名称 |
基片背部加工残渣的去除 |
摘要 |
在包括具有用于接收基片的接收表面的基片支架的加工室中加工基片,以便在室内暴露基片前表面。将激发加工气体用于加工基片前表面。通过将基片支架的接收表面之上的基片升高到升起物质并且将基片背部表面暴露于激发清洗气体清洗基片背部表面的外围边缘。 |
申请公布号 |
CN101241841A |
申请公布日期 |
2008.08.13 |
申请号 |
CN200810008213.3 |
申请日期 |
2008.02.13 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
杰勒多·A·德尔加蒂诺;因德雷杰特·拉海里;蒂哈-廷·苏;赛-尤安·布赖恩·希尔;阿肖克·辛哈 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/30(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/67(2006.01);G03F7/42(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
1.一种在包含具有接收表面的基片支架的加工室中加工基片的方法,该方法包括:(a)将基片放置在加工室中的基片支架的接收表面上;(b)将基片的前表面暴露于用于加工基片前表面的激发加工气体;以及(c)通过下列步骤清洗基片背部表面的外围边缘:(1)将基片支架的接收表面之上的基片升高到升起位置;以及(2)在将基片保持在该升起位置的同时,将基片背部表面暴露于用于清洗背部表面的激发清洗气体。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |