| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包含：在覆盖在衬底上的绝缘膜内形成铜互连；并且在300℃或更低对铜互连进行退火。铜互连具有最小互连宽度0.1μm或更小，以及最大互连宽度1μm或更小。 | ||
| 申请公布号 | CN101241878A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200810005759.3 | 申请日期 | 2008.02.04 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 松原义久 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;孙志湧 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包含：在覆盖衬底的绝缘膜中形成铜互连，所述铜互连具有0.1μm或更小的最小互连宽度，以及1μm或更小的最大互连宽度；以及在300℃或更低对所述铜互连进行退火。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||