| 主权项 |
1.一种使用光阻剂图案做为蚀刻罩幕之蚀刻方法，其包括以下步骤：在藉由用波长于157奈米至193奈米范围之光源使该光阻剂层曝光后，使该光阻剂层显影，以涂覆光阻剂图案；形成一种聚合物层，且同时用以氟为基础之气体、Ar气体及O2气体之混合物蚀刻部分该靶蚀刻层，其中该以氟为基础之气体为CxFy或CaHbFc，且其中该x、y、a、b及c分别在1至10之范围内；且用该聚合物层及该光阻剂图案作为蚀刻罩幕蚀刻该靶蚀刻层。2.根据申请专利范围第1项之方法，其中该光源为ArF雷射器或F2雷射器。3.根据申请专利范围第2项之方法，其中该光阻剂层系由COMA(环烯烃-马来酸酐)族或丙烯酸酯族形成。4.根据申请专利范围第1项之方法，其中该聚合物层系藉由提供约5sccm至约20sccm以氟为基础之气体、约100sccm至约1000sccm之Ar气体以及约1sccm至约5sccm之O2气体形成。5.根据申请专利范围第4项之方法，其中该聚合物层系以约500瓦特至约2000瓦特之功率在约10毫托至约50毫托之压力及约25℃至约80℃之温度经历约10秒钟至60秒钟形成。6.根据申请专利范围第1项之方法，其进一步在形成该光阻剂图案之后包括使该光阻剂图案硬化之步骤。7.根据申请专利范围第6项之方法，其中该Ar离子系于使该光阻剂图案硬化之步骤注入光阻剂图案。8.根据申请专利范围第7项之方法，其中该Ar离子系以100千电子伏特至300千电子伏特之能量藉由约1010/厘米3至约1015/厘米3之剂量注入。9.根据申请专利范围第6项之方法，其中该光阻剂图案系于该使光阻剂图案硬化之步骤用Ar电浆处理。10.根据申请专利范围第9项之方法，其中该使光阻剂图案硬化之步骤系以约500瓦特至约2000瓦特之功率在约1毫托至约10毫托之压力进行。11.根据申请专利范围第6项之方法，其中将电子束在使该光阻剂图案硬化之步骤注入光阻剂图案。12.根据申请专利范围第11项之方法，其中将电子束以约400微库仑/厘米3至约4000微库仑/厘米3之能量注入。13.根据申请专利范围第1项之方法，其进一步在形成该聚合物层之后包括使该光阻剂图案硬化之步骤。14.根据申请专利范围第13项之方法，其中该Ar离子系于使该光阻剂图案硬化之步骤注入光阻剂图案。15.根据申请专利范围第14项之方法，其中该Ar离子系以100千电子伏特至300千电子伏特之能量藉由约1010/厘米3至约1015/厘米3之剂量注入。16.根据申请专利范围第13项之方法，其中该光阻剂图案系于该使光阻剂图案硬化之步骤用Ar电浆处理。17.根据申请专利范围第16项之方法，其中该使光阻剂图案硬化之步骤系以约500瓦特至约2000瓦特之功率在约1毫托至约10毫托之压力进行。18.根据申请专利范围第13项之方法，其中将电子束以约400微库仑/厘米3至约4000微库仑/厘米3之能量注入。19.根据申请专利范围第1项之方法，其进一步在形成该光阻剂图案之步骤之后包括使该光阻剂图案流化之步骤。20.根据申请专利范围第19项之方法，其中该使光阻剂图案流化之步骤系用热板、烘箱或UV烘焙以正常压力在约100℃至约220℃之温度进行1分钟至30分钟。图式简单说明：图1A至1D为显示根据先前技艺用ArF微影技术形成接触空穴之方法图解；图2A至2D为横截面图，其显示根据本发明一个第一具体实施例用ArF微影技术形成接触之方法；图3A至3E为横截面图，其显示根据本发明一个第二具体实施例用ArF微影技术形成接触之方法；图4A至4F为横截面图，其显示根据本发明一个第三具体实施例用ArF微影技术形成接触之方法；而图5为显示光阻剂图案之临界尺寸根据不同温度变化之标绘图。 |
