摘要 |
<p>Un dispositivo optoelectrónico y un método para fabricar un dispositivo fotosensible optoelectrónico incluye depositar un primer material semiconductor orgánico sobre un primer electrodo para formar la primera capa continua que tiene protuberancias, un costado de la primera capa opuesto al primer electrodo tiene un área superficial por lo menos tres veces mayor que un área de corte transversal lateral subyacente, depositar un segundo material semiconductor orgánico directamente sobre la primera capa para formar una segunda capa discontinua, partes de la primera capa quedan expuestas; depositar un tercer material semiconductor orgánico directamente sobre la segunda capa para formar una tercera capa, partes de por lo menos la segunda capa quedan expuestas; depositar un cuarto material semiconductor sobre la tercera capa para formar una cuarta capa continua, llenando todos los espacios y cavidades expuestos en la primera, segunda y tercera capas; y depositar un segundo electrodo sobre la cuarta capa, en donde por lo menos uno del primer electrodo y el segundo electrodo es transparente, y el primer y tercer materiales semiconductores orgánicos son tanto de un tipo de donador como de un tipo de aceptor en relación con el segundo y cuarto materiales semiconductores orgánicos, que son del tipo de material.</p> |