| 摘要 |
<p>Фотодиодная структура для приемника инфракрасного излучения предназначена для создания ИК фотоприемных устройств матричного типа. Фотодиодная структура содержит подложку GaAs с варизонной структурой Cd<Sub>x</Sub>Hg<Sub>1-x</Sub>Te. В последней между поглощающим рабочим слоем с фиксированной запрещенной зоной и р-n переходом выполнен слой с нарастанием ширины запрещенной зоны, формирующим изотипный варизонный переход, в направлении от подложки, и выходом ширины запрещенной зоны на фиксированное значение, где расположен р-n переход. Между подложкой и рабочим слоем последовательно от подложки выполнены сильно легированный высокопроводящий слой с фиксированной запрещенной зоной и слой с запрещенной зоной в виде «горбика», с нарастанием и затем спадом до значения ширины запрещенной зоны в рабочем слое. На слое с нарастанием запрещенной зоны и изотипным варизонным переходом, с р-n переходом в области постоянного значения, выполнен слой с нарастанием ширины запрещенной зоны в направлении от подложки. Совокупность указанных слоев обеспечивает: повышение ампер-ваттной чувствительности и предельной частоты фотоприема, достижение однородности параметров по площади, снижение суммарной величины темнового тока и фонового фототока. 12 з.п. ф-лы, 2 ил.</p> |
