发明名称 |
Rauscharmer Transistor und Verfahren zur Herstellung desselben |
摘要 |
Ein rauscharmer Transistor und ein Verfahren zur Herstellung eines rauscharmen Transistors. Ein Rauschen reduzierendes Mittel wird in die Gateelektrode eingebracht und dann in das Gatedielektrikum eines Transistors verschoben.
|
申请公布号 |
DE102008000141(A1) |
申请公布日期 |
2008.08.07 |
申请号 |
DE200810000141 |
申请日期 |
2008.01.23 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
BERTHOLD, ADRIAN;BIANCO, MICHAEL;MAHNKOPF, REINHARD |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|