发明名称 Rauscharmer Transistor und Verfahren zur Herstellung desselben
摘要 Ein rauscharmer Transistor und ein Verfahren zur Herstellung eines rauscharmen Transistors. Ein Rauschen reduzierendes Mittel wird in die Gateelektrode eingebracht und dann in das Gatedielektrikum eines Transistors verschoben.
申请公布号 DE102008000141(A1) 申请公布日期 2008.08.07
申请号 DE200810000141 申请日期 2008.01.23
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BERTHOLD, ADRIAN;BIANCO, MICHAEL;MAHNKOPF, REINHARD
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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