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Die Beziehung zwischen einer Entfernung Ls zwischen einer Basisschicht (5) und einer n-Pufferschicht (2), die auf der Oberfläche einer Driftschicht (3) ausgebildet sind, und der Dicke t eines Halbleitersubstrats (10) in Kontakt mit der Driftschicht (3) ist auf Ls <= t <= 2 . Ls eingestellt. Ein Verlust beim Ausschalten einer Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung kann verringert werden, ohne die Durchbruchspannungscharakteristiken zu verschlechtern.
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