| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement, insbesondere DRAM, mit mehreren verschiedenartigen einmal-programmierbaren Elementen, insbesondere Laser-Fuse-Widerständen und E-Fuse-Widerständen, ein Verfahren zum Programmieren eines Halbleiter-Bauelements und ein Verfahren zum Betreiben eines Halbleiter-Bauelements. Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Halbleiter-Bauelement zur Verfügung gestellt, welches mehrere verschiedenartige einmal-programmierbare Elemente (101a, 101b) aufweist, die eine Gruppe (101) von einmal-programmierbaren Elementen bilden, wobei durch die mehreren verschiedenartigen einmal-programmierbaren Elemente (101a, 101b) der Gruppe (101) gemeinsam mindestens ein Bit an Information gespeichert wird.
|
