| 发明名称 |
Method and Apparatus for Double-Sided Biasing of Nonvolatile Memory |
| 摘要 |
Methods and apparatuses are disclosed for biasing the source-side and the drain-side of a nonvolatile memory to add electrons to the charge trapping structure.
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| 申请公布号 |
US2008185615(A1) |
申请公布日期 |
2008.08.07 |
| 申请号 |
US20070670677 |
申请日期 |
2007.02.02 |
| 申请人 |
MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
WU CHAO-I |
| 分类号 |
H01L29/76 |
主分类号 |
H01L29/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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