| 摘要 |
<p>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (3) aufweist, angegeben, wobei der Halbleiterchip umfasst: - eine auf dem Halbleiterkörper (2) angeordnete und elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich (3) verbundene strahlungsdurchlässige und elektrisch leitfähige Kontaktschicht (6), wobei die Kontaktschicht (6) an eine Barriereschicht (5) der Halbleiterschichtenfolge und an eine auf dem Halbleiterkörper (2) aufgebrachte und eine Struktur aufweisende Anschlussschicht (4) angrenzt; - eine auf einer von der Barriereschicht (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (3) auf dem Halbleiterkörper (2) angeordnete Elektrode (14), die einen Anschlussbereich (140) aufweist, wobei die Kontaktschicht (6) in einem von dem Anschlussbereich (140) der Elektrode (14) überdeckten Bereich der Barriereschicht (5) ganzflächig an die Barriereschicht angrenzt.</p> |
