| 发明名称 | 用于把离子引入离子阱的方法以及离子存储设备 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种把离子引入到离子阱中的方法以及一种离子存储设备。利用引入装置通过到所述离子阱的入口孔径把第一离子引入到该离子阱中。调节所述引入装置的操作条件，以便通过所述相同的入口孔径把极性不同于第一离子的第二离子引入到该离子阱中。 | ||
| 申请公布号 | CN101238544A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200680028592.1 | 申请日期 | 2006.05.26 |
| 申请人 | 岛津研究所（欧洲）有限公司 | 发明人 | 丁力;A·J·史密斯;N·E·尼古拉耶维奇 |
| 分类号 | H01J49/04(2006.01);H01J49/10(2006.01);H01J49/42(2006.01) | 主分类号 | H01J49/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰;陈景峻 |
| 主权项 | 1、一种把离子引入到离子阱中的方法，其包括以下步骤：利用引入装置通过到所述离子阱的入口孔径把第一离子引入到所述离子阱中；以及选择性地调节所述相同的引入装置的操作条件，以通过所述相同的入口孔径把极性不同于第一离子的第二离子引入到该离子阱中。 | ||
| 地址 | 英国曼彻斯特 | ||