| 发明名称 | 真空处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开的是能够用于液晶(LCD)面板或晶片在诸如玻璃基片上执行刻蚀或沉积处理的真空处理装置。该真空处理装置，包括：在其内部形成用于真空处理的处理空间，以及形成在腔体一侧或更多侧用于将基片放入取出腔体的门，其中通过切除门的面对着处理空间的棱角的至少一部分，在门的面对上述处理空间一侧的至少一部分棱角上形成棱角去除部。 | ||
| 申请公布号 | CN101236888A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200710188069.1 | 申请日期 | 2007.11.23 |
| 申请人 | IPS株式会社 | 发明人 | 曹生贤 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/67(2006.01);C23C16/44(2006.01);C23C14/56(2006.01);C23F4/00(2006.01);H01J37/32(2006.01);B01J3/03(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 谢顺星 |
| 主权项 | 1、一种真空处理装置，其特征在于，包括：腔体，具有用于真空处理的处理空间，以及形成在腔体一侧或更多侧用于将基片放入取出腔体的门；其中，通过切除门的面对着处理空间的棱角的至少一部分，在门的面对上述处理空间一侧的至少一部分棱角上形成棱角去除部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道平泽市 | ||