气体切换设备、气体供应源系统、控制气流方法和蚀刻硅方法

摘要

本发明提供了一种用于将气体引入交替的等离子体蚀刻/淀积室中改进方法。为了使淀积和蚀刻剂气体供应源开启和关闭时引入到交替的蚀刻/淀积室中的压力脉冲最小，使用质量流量控制器提供相对恒定的气流。提供气体旁路和气体排放口，由此在关闭至交替的蚀刻/淀积室的气体入口时提供用于来自质量流量控制器的气流的交替路径。提供旁路和排放口使接收自质量流量控制器的气体压力维持在基本恒定的水平。气体压力脉冲的消除或者最小化有助于增加在交替的蚀刻/淀积交替室中蚀刻在硅衬底中的高纵横比特征的壁的平滑度。

主权项

1. 一种用于改进的气体切换的设备，所述设备包括：等离子体室；至少一个等离子体源，用于在所述等离子体室中产生等离子体；衬底支架，其位于所述等离子体室中；排放口，其与所述等离子体室流体连通；蚀刻剂气体供应源，其具有用于向所述等离子体室提供蚀刻剂气体的相关气体入口和用于排放所述蚀刻剂气体的相关气体旁路，该气体旁路与所述蚀刻剂供应源和所述等离子体室的所述排放口流体连通；淀积气体供应源，其具有向所述等离子体室提供淀积气体的相关气体入口和用于排放所述淀积气体的相关气体旁路，该气体旁路与所述淀积气体供应源和所述等离子体室的所述排放口流体连通；以及气体控制开关，所述气体控制开关控制所述蚀刻剂气体供应源和所述淀积气体供应源中的至少一个，由此使所述至少一个气体供应源的所述气体入口和所述气体旁路被配置成使得在相应的气体入口关闭时，相应的气体流动旁路所述等离子体室，直接到所述等离子体室的所述排放口。