| 发明名称 | 掺杂区的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种掺杂区的形成方法，适用于一基底，基底上已形成有多个互相平行的第一栅极与多个互相平行的第二栅极。其中这些第一栅极往第一方向延伸，这些第二栅极往二方向延伸，且第一方向与第二方向相交。此方法包括在平行第一栅极，且与基底的垂直切面夹一倾斜角θ的方向上，对基底进行一第一导电型掺杂剂注入工艺，于这些第一栅极之间形成一第一导电型掺杂区，其中，这些第二栅极阻挡第一导电型掺杂剂注入于这些第二栅极周围的基底中。 | ||
| 申请公布号 | CN101236924A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200710004755.9 | 申请日期 | 2007.01.30 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 魏鸿基;毕嘉慧 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种掺杂区的形成方法，适用于一基底，所述基底上已形成有多个互相平行的第一栅极与多个互相平行的第二栅极，其中所述第一栅极往一第一方向延伸，所述第二栅极往一第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向相交，所述方法包括：在平行所述第一栅极，且与所述基底的垂直切面夹一倾斜角θ的方向上，对所述基底进行一第一导电型掺杂剂注入工艺，于所述第一栅极之间形成一第一导电型掺杂区，其中，所述第二栅极阻挡所述第一导电型掺杂剂注入于所述第二栅极周围的所述基底中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||