| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN101236897A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810009449.9 | 申请日期 | 2008.02.02 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 神保安弘;伊佐敏行;本田达也 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/77(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L51/00(2006.01);H01L51/40(2006.01);H01L51/56(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭放 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在衬底上形成金属膜；在所述金属膜上形成金属氧化膜；在所述金属氧化膜上形成非金属无机膜；在所述非金属无机膜上形成有机化合物膜；在所述有机化合物膜上形成半导体元件；以及从所述衬底剥离所述半导体元件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||