| 发明名称 | 氮化物半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体发光装置，包括衬底，以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。 | ||
| 申请公布号 | CN101237014A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810004903.1 | 申请日期 | 2008.01.29 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 小河淳;相生明雄;驹田聪;中津弘志 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1、一种氮化物半导体发光装置，包括：衬底；和第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，从靠近所述衬底的一侧开始依次堆叠在所述衬底上，其中电极提供在所述第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||