| 发明名称 | 具有侧电极的存储单元 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储单元及其制造方法。此处所描述的存储单元包括一底电极、一存储元件及一侧电极。底电极与此存储元件于存储元件底部的第一接触表面电性连接，而侧电极与此存储元件于存储元件侧面的第二接触表面电性连接，其中该第二接触表面与该第一接触表面侧向面对。 | ||
| 申请公布号 | CN101237026A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810004949.3 | 申请日期 | 2008.01.31 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种存储装置，其特征在于，该装置包括：一底电极；一存储元件，其具有一第一接触表面及一第二接触表面，且与该底电极于该第一接触表面电性连接，其中该存储元件包含一存储材料，其具有至少两个固态相；以及一侧电极与该存储元件于该第二接触表面电性连接，其中该第二接触表面与该第一接触表面侧向面对。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||