| 发明名称 | 三维结构存储器的制造方法及使用方法 | ||
| 摘要 | 一种三维结构(3DS)存储器(100)使得能够将存储器电路(103)和控制逻辑(101)物理上分离到不同的层(103)上，致使可以分别地优化各个层。几个存储器电路(103)有一个控制逻辑(101)就够了，从而降低了成本。3DS存储器(100)的制造涉及到将存储器电路(103)减薄到厚度小于50微米以及将电路键合到电路叠层，同时仍然呈晶片衬底形式。采用了细粒高密度层间垂直总线互连(105)。3DS存储器(100)制造方法使得能够实现几种性能和物理尺寸效能，并且是用现有的半导体工艺技术实现的。 | ||
| 申请公布号 | CN100409425C | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200310104397.0 | 申请日期 | 1998.04.03 |
| 申请人 | 格伦·J·利迪 | 发明人 | 格伦·J·利迪 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L27/02(2006.01);G11C5/06(2006.01);G11C11/34(2006.01);B44C1/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1. 一种使用具有多个叠置集成电路层的叠层集成电路的信息处理方法，此方法包括：利用位于所述叠层集成电路的第二层上的控制电路存取位于所述叠层集成电路的第一层上的至少一个存储器单元；其中存取至少一个存储器单元通过叠层集成电路内的垂直互连进行。 | ||
| 地址 | 美国怀俄明 | ||