发明名称 |
半导体元件与记忆体及其操作方法 |
摘要 |
本发明有关于一种半导体元件与记忆体及其操作方法。该记忆体,其适用于嵌入式记忆体中。此记忆体包括,基底、栅极、电荷陷入闸介电层、源极以及漏极。其中,栅极配置在基底上方。电荷陷入闸介电层配置于栅极与基底之间。源极与漏极分别配置于栅极两侧的基底中。本发明能够于同一系统上同时制作金氧半导体电晶体与记忆体,且在制程产生制作上较为简易,而可提高制程良率。本发明还公开了该记忆体的操作方法和包括该记忆体的半导体元件。 |
申请公布号 |
CN101236970A |
申请公布日期 |
2008.08.06 |
申请号 |
CN200710007534.7 |
申请日期 |
2007.02.01 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
吴昭谊 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01);G11C16/02(2006.01);G11C16/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1. 一种半导体元件,其特征在于包括:一基底,该基底具有一逻辑电路区与一记忆体区;一金氧半导体电晶体,配置在该逻辑电路区中,该金氧半导体电晶体包括一基底、位于该基底中的一漏极与一源极、位于该漏极与该源极之间的该基底上方的一栅极,以及位于该栅极与该基底之间的一闸介电层;以及一记忆体,配置在该记忆体区中,其中该记忆体具有与该金氧半导体电晶体相同材料的堆叠结构,该记忆体包括一基底、位于该基底中的一漏极与一源极、位于该漏极与该源极之间的该基底上方的一栅极,以及位于该栅极与该基底之间的一电荷陷入闸介电层。 |
地址 |
中国台湾新竹县新竹科学工业园区力行路16号 |