场发射阴极碳纳米管发射阵列的制备方法

摘要

本发明涉及一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括：采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，在基底上沉积低熔点金属层，再沉积催化剂层，形成低熔点金属－催化剂复合点阵。然后在火焰中烧1－10分钟，电场退火老化处理后形成稳定的碳纳米管发射阵列。本发明具有操作简单、成本低廉；可以在开放的大气环境下(无需真空设备)生长碳纳米管阵列；无需氮化物或氧化物过渡层；而且具有可将碳纳米管的生长和冷阴极阵列的组装一次性制备完成。所制得的碳纳米管阵列具有大面积、均匀、定域生长、优良的场发射特性等优点。本发明所制得的碳纳米管阵列可作为发射阴极在场发射显示器或发光光源、X－射线电子源、质谱仪电子源及其它需要电子源的场合进行应用。

主权项

1.一种场发射阴极碳纳米管发射阵列的制备方法，包括以下步骤：在基底上沉积熔点为30-660℃的金属层，再沉积催化剂层，然后在火焰中烧1-10分钟，电场退火老化处理后得到场发射阴极碳纳米管发射阵列。