发明名称 一种半导体器件模型自适应参数提取方法
摘要 本发明公开了一种不依赖于具体的半导体器件模型的自适应参数提取方法,这种方法的输入文件中不仅包含器件测试数据和提取流程控制代码,而且将待提取的模型公式整理为C语言子函数代码,结合待提取的模型参数列表形成一个输入文件,然后按照输入文件中制定的提取流程,采用控制搜索类算法进行参数提取,同时进行进度监控,在整个提取流程结束后,输出模型参数,生成对应的器件模型文件。本发明实现了半导体器件模型自适应性参数提取,不需要对参数提取系统进行重新的组织就可以快速的应用到新的半导体器件解析模型和半解析模型中。
申请公布号 CN101236572A 申请公布日期 2008.08.06
申请号 CN200710002980.9 申请日期 2007.01.30
申请人 北京大学 发明人 韩汝琦;吴涛;杜刚;刘晓彦
分类号 G06F17/50(2006.01) 主分类号 G06F17/50(2006.01)
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所 代理人 邵可声
主权项 1. 一种半导体器件模型的参数提取方法,包括如下步骤:(1)针对要提取的半导体器件模型,选择不同尺寸组合的器件,根据待提取参数的需要测试所选定的器件在不同外部情况下的电学特性;(2)整理测试数据,并根据参数提取流程输入提取流程控制代码,同时将待提取的模型公式整理为C语言子函数代码,结合待提取的模型参数列表形成一个输入文件;(3)按照输入文件中制定的提取流程,采用控制搜索类算法进行参数提取,同时进行进度监控;(4)在整个提取流程结束后,输出模型参数,生成对应的器件模型文件。
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