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经营范围
发明名称
Method for forming mulitlevel interconnects in semiconductor device
摘要
申请公布号
EP1868240(A3)
申请公布日期
2008.08.06
申请号
EP20070113454
申请日期
1997.08.22
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
CHANG, SEUNG-HYUN;KIM, SUCH-TAE;PARK, YOUNG-HUN
分类号
H01L21/31;H01L21/768;H01L21/316;H01L23/522
主分类号
H01L21/31
代理机构
代理人
主权项
地址
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