半导体发光元件

摘要

本发明提供一种发光元件，其对设在发光构造外的电极使用透光性电极，以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有：发光构造部；分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极；及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜，第2电极具有：被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第1层；及设在透光性绝缘膜至少一部分上且和第1层导通的第2层，第1层的表面侧、及透光性绝缘膜和半导体构造的边界区域上，分别形成光反射部，透光性绝缘膜的第2层侧表面比第1层的表面更远离半导体构造。

主权项

1.一种半导体发光元件，其特征在于，在包含第1、第2导电型半导体层的半导体构造中具有：发光构造部；第1电极、第2电极，这些电极分别设置在此第1导电型半导体层、该发光构造部的第2导电型半导体层上；以及透光性绝缘膜，其形成在所述第2导电型半导体层的至少一部分上，所述第2电极具有：透光性导电膜的第1层，其被覆所述第2导电型半导体层的至少一部分；以及第2层，其设在所述透光性绝缘膜的至少一部分上，且和第1层导通，在所述第1层的表面侧、及所述透光性绝缘膜和所述半导体构造的边界区域上，分别形成有光反射部，所述透光性绝缘膜的所述第2层侧表面比所述第1层的表面更远离半导体构造。