| 发明名称 | 改善电荷捕捉存储单元过擦除效应的方法及其电荷捕捉存储器结构 | ||
| 摘要 | 一种改善电荷捕捉存储单元过擦除效应的方法。电荷捕捉存储单元具有晶体管，晶体管的第一端耦接至第一位线，晶体管的第二端耦接至第二位线。此方法包括，在电荷捕捉存储单元完成擦除的动作后，电性连接该第一位线及第二位线，使得第一位线的电压电平相等于第二位线的电压电平，进而使得晶体管的第一端的电压电平相等于晶体管的第二端的电压电平。 | ||
| 申请公布号 | CN101236785A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200710006372.5 | 申请日期 | 2007.02.01 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈张庭;黄俊仁 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01);G11C16/02(2006.01);G11C16/12(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1. 一种改善电荷捕捉存储单元的过擦除效应的方法，该电荷捕捉存储单元具有一晶体管，该晶体管的第一端耦接至一第一位线，该晶体管的第二端耦接至一第二位线，该方法包括：在该电荷捕捉存储单元完成擦除的动作后，电性连接该第一位线及该第二位线，使得该第一位线的电压电平相等于该第二位线的电压电平，进而使得该晶体管的第一端的电压电平相等于该晶体管的第二端的电压电平。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 | ||