发明名称 半导体双极发光和激光装置及方法
摘要 本发明涉及一种用于产生光学输出的方法,所述方法包含以下步骤:提供第一和第二电信号;提供双极发光晶体管装置,其包含集电极区域、基极区域和发射极区域;提供与所述集电极区域耦合的集电极电极和与所述发射极区域耦合的发射极电极,且相对于集电极电极和发射极电极耦合电位;提供与所述基极区域光学连通的光学耦合;提供与所述基极区域耦合的第一和第二基极电极;及将所述第一和第二电信号分别与所述第一和第二基极电极耦合以产生从所述基极区域发射出并耦合至所述光学耦合中的光学输出,所述光学输出为所述第一和第二电信号的函数。本发明还揭示一种改进型pnp晶体管激光器和一种用于在产生输出激光脉冲的受激发射模式与自发发射模式之间来回切换的技术。
申请公布号 CN101238619A 申请公布日期 2008.08.06
申请号 CN200680013056.4 申请日期 2006.02.27
申请人 伊利诺斯大学理事会 发明人 米尔顿·冯;尼克·小霍伦亚克;理查德·禅;加布里埃尔·沃尔特
分类号 H01S3/13(2006.01) 主分类号 H01S3/13(2006.01)
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 孟锐
主权项 1、一种用于产生可控光脉冲的方法,其包括以下步骤:提供异质结双极晶体管结构,其包括半导体材料的集电极区域、基极区域和发射极区域;提供包封所述晶体管结构的至少一部分的光学谐振腔;及相对于所述集电极区域、基极区域和发射极区域耦合电信号,以在产生输出激光脉冲的受激发射模式与自发发射模式之间来回切换。
地址 美国伊利诺斯州