| 发明名称 | 隧道磁阻效应膜和磁性装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供隧道磁阻效应膜和磁性装置。所述隧道磁阻效应膜是高度实用的隧道磁阻效应膜，具有可工作的负MR比率的特性，可在室温下使用。所述隧道磁阻效应膜包括：隧道势垒层；和夹着所述隧道势垒层的磁性层。磁性层之一由FeN构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101237023A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200710159763.0 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 富士通株式会社;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 |
| 分类号 | H01L43/10(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01F10/32(2006.01);H01F27/22(2006.01);G11C11/16(2006.01);G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | H01L43/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种隧道磁阻效应膜，该隧道磁阻效应膜包括：隧道势垒层；和夹着所述隧道势垒层的磁性层，其中，所述磁性层之一为FeN层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||