矩阵式发光二极管及其制造方法

摘要

本发明矩阵式发光二极管及其制造方法，前者包含有一基板、一电路层、一反射盖、多个发光二极管晶片、至少一正/负极接脚以及一透镜模组；本发明制造矩阵式发光二极管的方法，首先，提供基板；之后，设置电路层于基板，电路层设有正/负极；然后，设置反射盖于电路层，反射盖设置有矩阵排列的多个开口；接续，设置每一发光二极管晶片于每一开口，发光二极管晶片的正/负极与电路层的正/负极电性相接；之后，设置正/负极接脚于基板，且正/负极接脚与电路层的正/负极电性相接；最后，设置透镜模组于反射盖，封盖发光二极管晶片。

主权项

1. 一种矩阵式发光二极管，其特征在于，其包含有：一基板；一电路层，设于该基板，该电路层设有至少一正极与至少一负极；一反射盖，设于该电路层，该反射盖设有复数开口，该开口呈矩阵排列；多个发光二极管晶片，分别设置于每一该开口，每一该发光二极管晶片皆具有一正极与一负极，该发光二极管晶片的该正极与该负极与该电路层的该正极和该负极，电性相接；至少一正极接脚，穿设过该基板并与该电路层的该正极电性连接；至少一负极接脚，穿设过该基板并与该电路层的该负极电性连接；其中该基板可为一金属基板；该基板更穿设有多个绝缘柱，该正极接脚与该负极接脚分别穿设于该绝缘柱。