发明名称 | 带有自定向发射极的磁沟道晶体管的制备方法和装置 | ||
摘要 | 本发明公开了带有自定向发射极之磁沟道晶体管的制备方法和装置。形成了一种带有自定向发射极层的磁沟道晶体管(MTT)。自定向发射极层通过去除一个邻近的反铁磁定向电阻厚层,减小了电阻。同时,本发明也通过从基极中去除一个被定向层,减小了磁沟道晶体管基极中的串联电阻。 | ||
申请公布号 | CN100409315C | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
申请号 | CN200410038601.8 | 申请日期 | 2004.04.27 |
申请人 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 发明人 | 哈戴亚尔·S.·吉尔 |
分类号 | G11B5/39(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
主权项 | 1. 一种形成磁沟道晶体管的方法,包括:形成一个发射极,包括一个自定向的第一铁磁层,该第一铁磁层具有第一磁定向;形成一个基极,包括一个第二铁磁层,与第一铁磁层由第一和第二铁磁层之间的一个势垒层分开,该第二铁磁层具有第二磁定向;以及形成一个包括半导体材料GaAs的集电极,其中第一和第二磁定向的方向决定流过集电极的电流。 | ||
地址 | 荷兰阿姆斯特丹 |